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PDTC114YE

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PDTC114YE 优势库存
PHI
SOT523
2023+
6352
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PDTC114YE
PHILIPS
SOT-423
2023+
5557
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PDTC114YE,135
NXP USA Inc.
SC-75
2023+
500
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PDTC114YE,115
NXP USA Inc.
SC-75
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PDTC114YE/33
PHILIPS
SOT-423
2023+
129000
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PDTC114YEF,115
NXP USA Inc.
SC-89
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PDTC114YEF
PHILIPS
SOT490
2023+
3787
品质保证,价格优惠
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PDTC114YE
PHILIPS
SOT-423
2023+
243000
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PDTC114YE115
NXPSemiconduct..
SC-75,SOT-416
2023+
1250
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PDTC114YE135
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SC-75,SOT-416
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PDTC114YEF115
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SC-89,SOT-490
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PDTC114YEY
PHILIPS
SOT523
2023+
5278
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PDTC114YEF
PHILIPS
SOT490
2023+
5065
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PDTC114YE/33
PHILIPS
SOT-423
2023+
131557
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PDTC114YE
NXP
SOT-523
2023+
36400
一级代理/全新现货/长期供..
PDTC114YE135
NXP
SOT-416-3
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
PDTC114YE115
NXP
SOT-416-3
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
PDTC114YE
NXP
原装现货
2023+
4500
相关型号： PDTC114TU,115 PDTC114TT,235 PDTC114TT,215 PDTC114TS,126 PDTC114TMB,315 PDTC114TM,315

PDTC114YE,115
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PDTC114YE,115参数：TRANS NPN W/RES 50V SOT-490

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：100mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SC-75

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