PDTC115TE

PDTC115TE,115
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PDTC115TE,115参数：TRANS NPN W/RES 50V SOT-416

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品目录绘图： PDTC1xxTxSeriesCircuit SOT-416PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：100k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@1mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：150mV@250µA，5mA
电流-集电极截止（最大值）：1µA
频率-跃迁：-
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SC-75