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PDTD113ZT

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PDTD113ZTVL
Nexperia USA I..
TO-236AB
2023+
9869
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PDTD113ZT-QVL
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PDTD113ZT-QR
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PDTD113ZT,215
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PDTD113ZT
NXPSemiconduct..
SOT-23-3,TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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PDTD113ZT215
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TO-236-3,SC-..
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PDTD113ZT215
NXP
2023+
10,000
全新原装，发货2-4周
PDTD113ZT215
NXP
SOT-23-3
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
相关型号： PDTD113ZS,126 PDTD113ZK,115 PDTD113ET,215 PDTD113ES,126 PDTD113EK,115 PDTC323TK,115

PDTD113ZT,215
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PDTD113ZT,215参数：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：1k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 50mA，5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB

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