PEMB11,115参数:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
类别:分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式特色产品: NXP-I2CInterface标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)晶体管类型:2个PNP预偏压式(双)电流-集电极(Ic)(最大值):100mA电压-集射极击穿(最大值):50V电阻器-基底(R1)(Ω):10k电阻器-发射极基底(R2)(Ω):10k不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):30@5mA,5V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值(最大值):150mV@500µA,10mA电流-集电极截止(最大值):1µA频率-跃迁:180MHz功率-最大值:300mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-666