PEMB9,115参数：TRANSISTOR PNP/PNP RES SOT666
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式特色产品： NXP-I2CInterface标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：2个PNP预偏压式（双）电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基底(R1)(Ω)：10k电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@5mA，5V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：100mV@250µA，5mA电流-集电极截止（最大值）：1µA频率-跃迁：-功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-666
