PEMD19,115参数：TRANS PREBIASED DUAL SOT666
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式标准包装：4,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500µA，10mA电流 - 集电极截止（最大值）：1µA频率 - 跃迁：-功率 - 最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-666
