PH1920

PH1930AL,115
PDF资料下载

PH1930AL,115参数：MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3980pF @ 12V
功率 - 最大值：97W
安装类型：表面贴装
封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8