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PHB11N06

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PHB11N06LT 优势库存
PHILIPS
SOT263
2023+
895
原装现货质量保证
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PHB11N06LT 优势库存
PHILIPS
TO-263(D2PAK)
2023+
5409
原装现货，价格优势
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PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
D2PAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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PHB11N06
TO-263
2023+
2396
特价现货部分可售样片
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PHB11N06LTA
INF
TO-263
2023+
1366
全新进口原装现货,保证质量
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PHB11N06LT
PHILIPS
2023+
11357
全新进口原装现货,特价热卖
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PHB11N06LT
PH
TO-263
2023+
400
品质保证,价格优惠
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PHB11N06LT118
NXPSemiconduct..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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PHB11N06LT(PBF)
2023+
1801278
全新进口原装现货,保证质量
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PHB11N06T
PHILIPS
TO-263
2023+
22557
工厂配单，价格优势
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PHB11N06LTG
PHILIPS
TO263
2023+
1358
工厂配单，价格优势
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PHB11N06LT118
PHI
TO-263
2023+
2078
工厂配单，价格优势
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PHB11N06LT
飞利浦
263
2023+
6000
原装现货
PHB11N06B-P03
飞利浦
263
2023+
6000
原装现货
PHB11N06
飞利浦
263
2023+
6000
原装现货
相关型号： PHB119NQ06T,118 PHB112N06T,118 PHB110NQ08T,118 PHB110NQ08LT,118 PHB110NQ06LT,118 PHB108NQ03LT,118

PHB11N06LT,118
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PHB11N06LT,118参数：MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：330pF @ 25V
功率 - 最大值：33W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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