PHB11N06LT,118参数：MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：800系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：330pF @ 25V功率 - 最大值：33W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
