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PHB55N03L

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PHB55N03LT/C4
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PHB55N03LT
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PHB55N03LTA118
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PHB55N03LTA...
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PHB55N03LT/D4
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PHB55N03LT..
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PHB55N03LTA
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PHB55N03LT
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相关型号： PHB47NQ10T,118 PHB45NQ15T,118 PHB45NQ10T,118 PHB38N02LT,118 PHB33NQ20T,118 PHB32N06LT,118

PHB55N03LTA,118
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PHB55N03LTA,118参数：MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：55A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 25V
功率 - 最大值：85W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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