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PHD108NQ03

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PHD108NQ03 优势库存
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PHD108NQ03LT
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PHD108NQ03LT118
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PHD108NQ03LTA
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1368
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PHD108NQ03LT4
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PHD108NQ03LT/T3
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相关型号： PHD101NQ03LT,118 PHD.3B.308.CLLD82 PHD.2K.310.CYMC70Z PHD.2K.200.CZZ PHC-M4-433 PHC6-KIT

PHD108NQ03LT,118
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PHD108NQ03LT,118参数：MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1375pF @ 12V
功率 - 最大值：187W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK

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