PHD18NQ10T,118参数：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：633pF @ 25V功率 - 最大值：79W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK
