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PHD9NQ20T

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SOT428TO-252
2023+
27350
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PHD9NQ20TL
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3000
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PHD9NQ20T118
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PHD9NQ20T118
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DPAK-2
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相关型号： PHD98N03LT,118 PHD97NQ03LT,118 PHD96NQ03LT,118 PHD82NQ03LT,118 PHD78NQ03LT,118 PHD77NQ03T,118

PHD9NQ20T,118
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PHD9NQ20T,118参数：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：959pF @ 25V
功率 - 最大值：88W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK

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