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PMBFJ110

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PMBFJ110,215
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PMBFJ110,215参数：JFET N-CHAN 25V SOT-23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：10mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：25V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：30pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）：18 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB
功率 - 最大值：250mW

PMBFJ110

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