PMDPB65UP,115参数：MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 10V功率 - 最大值：520mW安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-HUSON（2X2）
