PMDPB95XNE,115参数：MOSFET N-CH 30V DUAL HUSON6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：143pF @ 15V功率 - 最大值：475mW安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-HUSON（2X2）
