PMGD780SN,115参数：MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：490mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：920 毫欧 @ 300mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.05nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23pF @ 30V功率 - 最大值：410mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：6-TSSOP
