PMN50UPE,115参数：MOSFET P-CH SINGLE 20V 6TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：66 毫欧 @ 3.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：24pF @ 10V功率 - 最大值：510mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP