PMPB33XN,115参数：MOSFET N-CH SINGLE 30V 6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：47 毫欧 @ 4.3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：505pF @ 15V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN2020MD (2x2)
