PMPB40SNA,115参数:MOSFET N-CH 60V SOT1220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 4.8A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):612pF @ 30V功率 - 最大值:1.7W安装类型:表面贴装封装:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)