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PSMN020

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PSMN020-150W 优势库存
PHI
TO-247
2023+
3000
原装现货质量保证
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PSMN020-30MLCX
Nexperia USA I..
LFPAK33
2023+
500
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PSMN020-150W,127
NXP USA Inc.
TO-247
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PSMN020-100YS,115
Nexperia USA I..
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2023+
500
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PSMN020
ST
TO-3P
2023+
6628
全新进口原装现货,保证质量
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PSMN020-150W
NXP
2023+
39
全新进口原装现货,特价热卖
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PSMN020-150W
PH
SOT429TO-247
2023+
27350
品质保证,价格优惠
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PSMN020-100YS
NXPSemiconduct..
LFPak-4
2023+
6000
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PSMN020-150W127
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TO-247-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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PSMN020-100YS115
NXPSemiconduct..
SC-100,SOT-6..
2023+
10850
全新进口原装现货品质保证
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PSMN020-100YS
NXP
SOT-669
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
PSMN020-100YS115
NXP
LFPAK-4
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
PSMN020-30MLCX
NXP
LFPAK33-8
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
PSMN020-150W
PHILIPS
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： PSMN018-80YS,115 PSMN017-80PS,127 PSMN017-80BS,118 PSMN017-60YS,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-30LL,115

PSMN020-100YS,115
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PSMN020-100YS,115参数：MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：43A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2210pF @ 50V
功率 - 最大值：106W
安装类型：表面贴装
封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8

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