PSMN1R3-30YL,115参数：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： LFPAKTrench6MOSFETs标准包装：1,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.3毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.15V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6227pF@12V功率-最大值：121W安装类型：表面贴装封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8
