PSMN1R6-30PL,127参数：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： TO220withTrench6MOSFETs标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.7毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.15V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：212nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：12493pF@12V功率-最大值：306W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
