PSMN8R2-80YS,115参数：MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： LFPAKTrench6MOSFETs标准包装：1,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：80V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：82A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3640pF@40V功率-最大值：130W安装类型：表面贴装封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8
