PSMN003-30B,118参数:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:800系列:TrenchMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9200pF @ 25V功率 - 最大值:230W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK