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PUMD10

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PUMD10 优势库存
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PUMD10
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2023+
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PUMD10/D1D
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2023+
9000
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PUMD10,135
Nexperia USA I..
6-TSSOP
2023+
532
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PUMD10,125
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6-TSSOP
2023+
760
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PUMD10,115
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6-TSSOP
2023+
10460
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PUMD10-QX
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6-TSSOP
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500
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PUMD10-QH
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6-TSSOP
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500
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PUMD10-QF
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6-TSSOP
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500
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PUMD10
2023+
3000
品质保证,价格优惠
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PUMD10135
NXPSemiconduct..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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PUMD10115
NXPSemiconduct..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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PUMD10125
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6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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PUMD10(DT0)
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SOT363
2023+
136278
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PUMD10/D1D
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11557
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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PUMD10/D10
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SOT-363
2023+
7278
工厂配单，价格优势
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PUMD10125
NXP
原厂原装
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
PUMD10135
NXP
原厂原装
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
PUMD10115
NXP
SOT-363-6
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
相关型号： PUMB9,125 PUMB9,115 PUMB4,115 PUMB30,115 PUMB3,115 PUMB24,115

PUMD10,115
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PUMD10,115参数：TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：100mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：6-TSSOP

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