QS6K1TR参数：MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： TSMT-6PackageTop标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：238毫欧@1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：77pF@10V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：TSMT6
