QS8J1TR参数：MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： MOSFETTSMT-8特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@4.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2450pF@6V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：TSMT8供应商器件封装：TSMT8
