R6012FNX参数：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-220FM,TO-220FN标准包装：500系列：-包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：510毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：50W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220FM
