RFD14N06LSM

RFD14N05
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RFD14N05参数：MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@14A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：570pF@25V
功率-最大值：48W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak