RFD16N05LSM参数：MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011标准包装：75系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：47毫欧@16A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252AA
