RFD8P05参数:MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:75系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):50V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 8A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 20V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:48W安装类型:通孔封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak