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RHP020N06T100

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RHP020N06T100
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RHP020N06T100参数：MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： xT100SeriesSOT-89
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4V驱动
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：140pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-243AA
供应商器件封装：MPT3

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