RJH1BF6RDPQ-80#T2参数:IGBT 1100V 55A TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1系列:-包装:*IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1100V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,55A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55ACurrent - Collector Pulsed (Icm):100A功率 - 最大值:227.2WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:49ns/142nsTest Condition:600V, 30A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:*安装类型:*供应商器件封装:*