RJH1CF4RDPQ-80#T2参数:IGBT 1200V 40A TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1系列:-包装:*IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,20A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40ACurrent - Collector Pulsed (Icm):80A功率 - 最大值:156.2WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:40ns/87nsTest Condition:600V,20A,5 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):-封装:*安装类型:*供应商器件封装:*