RJH1CM6DPQ-E0#T2参数:IGBT 1200V 40A 297.6W TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1系列:-包装:*IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V, 40A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40ACurrent - Collector Pulsed (Icm):80A功率 - 最大值:297.6WSwitching Energy:1.8mJ (开), 900µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:100nCTd (on/off) A 25°C:45ns/120nsTest Condition:600V,20A,5 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):180ns封装:*安装类型:*供应商器件封装:*