RJH1CV7DPQ-E0#T2参数:IGBT 1200V 70A 320W TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1系列:-包装:*IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,35A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70ACurrent - Collector Pulsed (Icm):105A功率 - 最大值:320WSwitching Energy:3.2mJ (开), 2.5mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:166nCTd (on/off) A 25°C:53ns/185nsTest Condition:600V, 35A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):200ns封装:*安装类型:*供应商器件封装:*