RJH60A83RDPD-E0#J2参数:IGBT 600V 20A 51W TO-252
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,10A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):-功率 - 最大值:51WSwitching Energy:230µJ (开), 160µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:19.7nCTd (on/off) A 25°C:31ns/54nsTest Condition:300V, 10A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):130ns封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252