RJK2009DPM-00#T0参数：MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：-包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2900pF @ 25V功率 - 最大值：60W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
