RJP020N06T100参数：MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： MOSFETs产品目录绘图： xT100SeriesSOT-89标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：240毫欧@2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：160pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：TO-243AA供应商器件封装：MPT3
