RJP60F0DPM-00#T1参数:IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:100系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.82V @ 15V,25A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50ACurrent - Collector Pulsed (Icm):-功率 - 最大值:40WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:46ns/90nsTest Condition:400V,30A,5 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-3PFM,SC-93-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PFM