RJP60V0DPM-00#T1参数:IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:100系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,22A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45ACurrent - Collector Pulsed (Icm):-功率 - 最大值:40WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:75nCTd (on/off) A 25°C:45ns/100nsTest Condition:300V, 22A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-3PFM,SC-93-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PFM