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RN1103

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RN1103 优势库存
TOSHIBA
SOT-523
2023+
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RN1103
TOS
SOT23
2023+
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RN1103,LXHF(CT
Toshiba Semico..
SSM
2023+
6500
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RN1103,LF(CT
Toshiba Semico..
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2023+
500
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RN1103
TOSHIBA
SOT-423
2023+
9000
品质保证,价格优惠
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RN1103CT(TPL3)
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CST3
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RN1103ACT(TPL3)
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CST3
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RN1103/XC
TOSHIBA
SOT-423
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RN1103MFV,L3XHF(CT
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VESM
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8500
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RN1103MFV,L3F(CT
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RN1103MFV,L3F
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754
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RN1103MFV(TPL3)
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RN1103MFV(TPL3)
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VESM
2023+
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RN1103FS(TPL3)
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3-fSM
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RN1103FS
TOSHIBA
fSM
2023+
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RN1103F
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RN1103FV
TOSHIBA
SOT-490
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RN1103FT
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RN1103/XC
TOSHIBA
SOT-423
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相关型号： RN1102T5LFT RN1102FS(TPL3) RN1101MFV(TPL3) RN1101FS(TPL3) RN104PJ820CS RN104PJ7R5CS

RN1103FS(TPL3)
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RN1103FS(TPL3)参数：TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：20V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：22k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：50mW
安装类型：表面贴装
封装：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：fSM（1.0x0.6）

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