RP1E100RPTR参数：MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： MOSFETP-ChannelMPT6特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.6毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3600pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线供应商器件封装：MPT6
