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RQ5RW19BA

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相关型号： RQ3E150MNTB1 RQ3E130MNTB1 RQ3E100MNTB1 RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR
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RQ1A060ZPTR参数：MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 6V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TSMT8
供应商器件封装：TSMT8

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