RSM002P03T2L参数：MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： MOSFETs产品目录绘图： 2SK3541,RSM,RTMSeriesVMT-3特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，4V驱动漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@200mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：30pF@10V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-723供应商器件封装：VMT3
