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RSQ030P03

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相关型号： RSQ025P03TR RSQ020N03TR RSQ015P10TR RSQ015N06TR RSPF3JA8R20 RSPF3JA8K20

RSQ030P03TR
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RSQ030P03TR参数：MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TSMT-6PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：440pF@10V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6

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