RSS075P03FU6TB参数:MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 10V功率 - 最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOP