RTL020P02TR参数:MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: MOSFETs产品目录绘图: TUMT-6PackageTop特色产品: ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):135毫欧@2A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.9nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):430pF@10V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:6-SMD,扁平引线供应商器件封装:TUMT6