RUM002N02T2L参数：MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：8,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：25pF @ 10V功率 - 最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-723供应商器件封装：VMT3
